Einkristalline Wafer und Substrate
Silizium-Wafer & IR-Optiksubstrate
Einkristalline Siliziumsubstrate für CO₂-Laserspiegel und ausgewählte IR-Optiken sowie Forschungswafer mit definierter Kristallorientierung, Oberflächenbearbeitung und Resistivität.
- Lieferant und Fertigungspartner mit Sitz in Deutschland
- Fertigung nach Kundenspezifikationen
- Optische Prüfung und Messung nach spezifizierten Anforderungen
- Von Einzelteilen und Prototypen bis zur Wiederholbelieferung
Produktübersicht
Unser Produktspektrum umfasst kundenspezifische Silizium-Spiegelsubstrate und einkristalline Silizium-Wafer. Je nach Anwendung können Kristallorientierung, Abmessungen, Dicke, Oberflächenbearbeitung und gegebenenfalls Leitfähigkeitstyp, Dotierstoff und spezifischer elektrischer Widerstand spezifiziert werden.
Einkristallines Silizium (Si) wird für Infrarot-Optiksubstrate, Spiegelrohlinge und Wafer für Forschungsanwendungen eingesetzt. Aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit, geringen Wärmeausdehnung und vergleichsweise niedrigen Dichte eignet es sich für ausgewählte reflektierende Optiken, darunter Substrate für CO₂-Laserspiegel bei 10,6 µm.
Silizium wird außerdem für transmittierende Infrarotfenster in geeigneten Wellenlängenbereichen verwendet. Die Transmission hängt jedoch unter anderem von der Materialqualität, dem Kristallzüchtungsverfahren, dem spezifischen elektrischen Widerstand, der Dicke und der Betriebswellenlänge ab.
Die Anforderungen an Wafer und die optische Infrarottransmission sollten getrennt spezifiziert und bewertet werden.
Vorteile auf einen Blick
- Hohe Wärmeleitfähigkeit für eine wirksame Wärmeabfuhr
- Geringe Wärmeausdehnung für Maßstabilität bei Temperaturänderungen
- Vergleichsweise geringe Dichte für gewichtssensitive Infrarotoptiken
- Hohe Härte für Verschleißbeständigkeit in geeigneten Anwendungen
Typische Spezifikationen
| Kristallzüchtungsverfahren | Czochralski-Verfahren (CZ) |
|---|---|
| Durchmesser | 200 mm; weitere Größen auf Anfrage |
| Durchmessertoleranz | ±0,2 mm |
| Dicke | Auf Anfrage |
| Leitfähigkeitstyp / Dotierung | p-Typ (bordotiert) / n-Typ (phosphordotiert) |
| Kristallorientierung | (100) / (111) |
| Elektrischer spezifischer Widerstand | 0,1–50 Ω·cm |
| Total Indicator Reading (TIR), globale Ebenheitsabweichung | < 2,0 µm |
| Maximum Site Total Indicator Reading (STIRmax), maximale lokale Ebenheitsabweichung | < 0,3 µm |
| Verwölbung (Warp) | < 20 µm |
Typische Anwendungen
- Substrate für Infrarot- und CO₂-Laserspiegel
- Unbeschichtete Spiegelrohlinge für kundenspezifische reflektierende Optiken
- Reflektierende optische Komponenten für thermisch anspruchsvolle Lasersysteme
- Ausgewählte Infrarotfenster für Bildgebung, Sensorik und optische Messtechnik
- Silizium-Wafer für Forschungs- und Dünnschichtanwendungen, abhängig von Waferqualität und Prozessanforderungen
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ANGEBOTSANFRAGE
Angaben für Ihre Angebotsanfrage
Bitte senden Sie uns Ihre Zeichnung oder technische Spezifikation zusammen mit den folgenden Angaben.
- Kristallorientierung oder Schnittwinkel und erforderliche Abmessungen
- Dicke, Maßtoleranzen und Geometrieanforderungen
- Erforderlicher Fehlorientierungswinkel (Off-Axis-Winkel) und dessen Richtung
- Geforderte Oberflächenrauheit und Spezifikation der Oberflächenbearbeitung
- Benötigte Stückzahl