Einkristalline Wafer und Substrate
Saphir-Wafer & Substrate
Unbeschichtete einkristalline Saphir-Wafer und Substrate (α-Al₂O₃) für Dünnschichtabscheidung, Epitaxieforschung und Materialentwicklung.
- Lieferant und Fertigungspartner mit Sitz in Deutschland
- Fertigung nach Kundenspezifikationen
- Optische Prüfung und Messung nach spezifizierten Anforderungen
- Von Einzelteilen und Prototypen bis zur Wiederholbelieferung
Produktübersicht
Saphir ist einkristallines α-Aluminiumoxid (Al₂O₃) und zeichnet sich durch hohe Härte, chemische Beständigkeit, elektrische Isolation und thermische Stabilität aus. Diese Eigenschaften machen den Werkstoff für ausgewählte Anwendungen in der Dünnschichtabscheidung, Epitaxieforschung und Verarbeitung bei erhöhten Temperaturen geeignet.
Vorteile auf einen Blick
- Hohe Härte und Verschleißfestigkeit
- Gute chemische Beständigkeit unter zahlreichen Prozessbedingungen
- Thermische Stabilität für Anwendungen bei erhöhten Temperaturen
- Elektrische Isolation und vorteilhafte dielektrische Eigenschaften
- Breiter optischer Transparenzbereich, abhängig von Materialqualität und Dicke
Typische Spezifikationen
| Material | Einkristalliner Saphir (α-Al₂O₃) |
|---|---|
| Runde Durchmesser | Ø25,4 mm; Ø50,8 mm; weitere Durchmesser auf Anfrage |
| Rechteckige Abmessungen | 10 × 3 mm; 10 × 5 mm; 10 × 10 mm; 20 × 20 mm; weitere Größen auf Anfrage |
| Dicke | 0,5 mm; 1,0 mm; weitere Dicken auf Anfrage |
| Dickentoleranz | ±0,02 mm; ±0,005 mm |
| Kristallorientierung | C-Ebene (0001); A-Ebene (11-20); R-Ebene (1-102); M-Ebene (10-10) |
| Orientierungstoleranz | ±0,5° |
| Oberflächenbearbeitung | Einseitig poliert (SSP) oder beidseitig poliert (DSP) |
| Oberflächenrauheit | ≤5 Å (Messfläche 5 × 5 µm) |
| Genauigkeit der Kantenorientierung | 2°; 1° auf Anfrage |
| Spezieller Verkippungswinkel | 1°–45° |
Eigenschaften
- Züchtungsverfahren
- Czochralski-Verfahren
- Kristallstruktur
- Korund (trigonal)
- Raumgruppe
- R-3c (Nr. 167)
- Gitterparameter
- a ≈ 4,758 Å; c ≈ 12,991 Å
- Dichte
- 3,98 g/cm³
- Mohshärte
- 9
- Schmelzpunkt
- 2040 °C
- Spezifische Wärmekapazität
- 0,757 J/(g·K) bei Raumtemperatur
- Wärmeleitfähigkeit
- 35,1 W/(m·K) ∥ c-Achse; 33,0 W/(m·K) ⊥ c-Achse
- Wärmeausdehnungskoeffizient
- 4,3 × 10⁻⁶ K⁻¹ ∥ a-Achse; 3,9 × 10⁻⁶ K⁻¹ ∥ c-Achse (294 K); 9,2 × 10⁻⁶ K⁻¹ ∥ a-Achse; 9,3 × 10⁻⁶ K⁻¹ ∥ c-Achse (757 K)
- Relative Permittivität (εᵣ)
- 9,4 ∥ a-Achse; 11,5 ∥ c-Achse (295 K); 9,3 ∥ a-Achse; 11,3 ∥ c-Achse (80 K)
- Dielektrischer Verlustfaktor (tan δ)
- < 1 × 10⁻⁶ bei 80 K (Mikrowellenbereich)
- Transmissionsbereich
- 0,17–5,5 µm, abhängig von Materialqualität und Dicke
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- Erforderliche Kristallorientierung und Abmessungen
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- Oberflächenbearbeitung und geforderte Oberflächenrauheit
- Benötigte Stückzahl